Si + SiO2 Wafer

Prime Si + dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 20 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), TTV < 5 µm, Bow/Warp < 30 µm, 0.001 - 0.005 Ohm cm, 290 nm SiO2 (+/- 7 %), particles: <10 @ 0.5 µm

Si + SiO2 Wafer

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WTD40525205B1050S291
Wafer thickness: 525 µm
Coating thickness: 290
Material: Si + dry SiO2
Wafer thickness tolerance: +/- 20 µm
Resistivity: 0,001 - 0,005 Ohm cm
Quality: Prime
Orientation: (100)
Dopand: Boron
Surface: 1-side polished (ssp)
Diameter: 4 inch (100 mm)
Prime Si + dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 20 µm,... mehr

Produktinformationen "Si + SiO2 Wafer"

Prime Si + dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 20 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), TTV < 5 µm, Bow/Warp < 30 µm, 0.001 - 0.005 Ohm cm, 290 nm SiO2 (+/- 7 %), particles: <10 @ 0.5 µm

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