Si + SiO2 Wafer

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.:	WTD40525205B1050S291
Wafer thickness:	525 µm
Coating thickness:	290
Material:	Si + dry SiO2
Wafer thickness tolerance:	+/- 20 µm
Resistivity:	0,001 - 0,005 Ohm cm
Quality:	Prime
Orientation:	(100)
Dopand:	Boron
Surface:	1-side polished (ssp)
Diameter:	4 inch (100 mm)

Prime Si + dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 20 µm,... mehr

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Produktinformationen "Si + SiO2 Wafer"

Prime Si + dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 20 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), TTV < 5 µm, Bow/Warp < 30 µm, 0.001 - 0.005 Ohm cm, 290 nm SiO2 (+/- 7 %), particles: <10 @ 0.5 µm

Min. order quantity = 1 wafer. From 25 wafers on, only sales units of 25 wafers. One sales unit of 8 wafers is also available on stock.