Si + SiO2 Wafer
Prime Si + dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 20 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), TTV < 5 µm, Bow/Warp < 30 µm, 0.001 - 0.005 Ohm cm, 290 nm SiO2 (+/- 7 %), particles: <10 @ 0.5 µm
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Spezifikationen:
Artikel-Nr.: | WTD40525205B1050S291 |
Wafer thickness: | 525 µm |
Coating thickness: | 290 |
Material: | Si + dry SiO2 |
Wafer thickness tolerance: | +/- 20 µm |
Resistivity: | 0,001 - 0,005 Ohm cm |
Quality: | Prime |
Orientation: | (100) |
Dopand: | Boron |
Surface: | 1-side polished (ssp) |
Diameter: | 4 inch (100 mm) |
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