Si + SiO2 Wafer

Prime Si + dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 20 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), TTV < 5 µm, 0.001 - 0.005 Ohm cm, 260 nm +/- 10 % SiO2

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WTD40525205B1050S261
Wafer thickness: 525 µm
Material: Si + dry SiO2
Wafer thickness tolerance: +/- 20 µm
Resistivity: 0,001 - 0,005 Ohm cm
Quality: Prime
Orientation: (100)
Dopand: Boron
Surface: 1-side polished (ssp)
Diameter: 4 inch (100 mm)
Coating thickness: 260
Prime Si + dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 20 µm,... mehr

Produktinformationen "Si + SiO2 Wafer"

Prime Si + dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 20 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), TTV < 5 µm, 0.001 - 0.005 Ohm cm, 260 nm +/- 10 % SiO2

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