Si + SiO2 Wafer

Prime Si + dry SiO2 wafer 3 inch, thickness = 380 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 100 nm SiO2, 1 Flat

Si + SiO2 Wafer

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WTD30380250B1314S101
Quality: Prime
Coating thickness: 100
Material: Si + dry SiO2
Wafer thickness: 380 µm
Diameter: 3 inch
Orientation: (100)
Resistivity: 1 - 10 Ohm cm
Dopand: Boron
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Surface: 1-side polished (ssp)
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Produktinformationen "Si + SiO2 Wafer"

Prime Si + dry SiO2 wafer 3 inch, thickness = 380 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 100 nm SiO2, 1 Flat

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