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Si + SiO2 Wafer

Prime Si + dry SiO2 wafer 3 inch, thickness = 380 ± 10 µm, (100), 1-side polished, intrinsic (undoped), 5000 - 50000 Ohm cm, 200 nm thermal dry SiO2

Si + SiO2 Wafer

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WTD30380100X5617S201
Wafer thickness: 380 µm
Resistivity: 5000 - 50000 Ohm cm
Coating thickness: 200
Material: Si + dry SiO2
Diameter: 3 inch
Wafer thickness tolerance: +/- 10 µm
Quality: Prime
Orientation: (100)
Surface: 1-side polished (ssp)
Beschreibung
Beschreibung
Prime Si + dry SiO2 wafer 3 inch, thickness = 380 ± 10 µm,... mehr
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Produktinformationen "Si + SiO2 Wafer"

Prime Si + dry SiO2 wafer 3 inch, thickness = 380 ± 10 µm, (100), 1-side polished, intrinsic (undoped), 5000 - 50000 Ohm cm, 200 nm thermal dry SiO2

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