Si + SiO2 Wafer
Prime Si + dry SiO2 wafer 3 inch, thickness = 380 ± 10 µm, (100), 1-side polished, intrinsic (undoped), 5000 - 50000 Ohm cm, 200 nm thermal dry SiO2
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Spezifikationen:
| Artikel-Nr.: | WTD30380100X5617S201 |
| Wafer thickness: | 380 µm |
| Resistivity: | 5000 - 50000 Ohm cm |
| Coating thickness: | 200 |
| Material: | Si + dry SiO2 |
| Diameter: | 3 inch |
| Wafer thickness tolerance: | +/- 10 µm |
| Quality: | Prime |
| Orientation: | (100) |
| Surface: | 1-side polished (ssp) |
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