Si + SiO2 Wafer
Prime Si + dry SiO2 wafer 3 inch, thickness = 380 ± 10 µm, (100), 1-side polished, intrinsic (undoped), 5000 - 50000 Ohm cm, 200 nm thermal dry SiO2
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Spezifikationen:
Artikel-Nr.: | WTD30380100X5617S201 |
Wafer thickness: | 380 µm |
Resistivity: | 5000 - 50000 Ohm cm |
Coating thickness: | 200 |
Material: | Si + dry SiO2 |
Diameter: | 3 inch |
Wafer thickness tolerance: | +/- 10 µm |
Quality: | Prime |
Orientation: | (100) |
Surface: | 1-side polished (ssp) |
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