Si + SiO2 Wafer
Prime Si + dry SiO2 wafer 3 inch, thickness = 200 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), 1 - 10 Ohm cm, 300 nm SiO2, 2 SEMI flats
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Spezifikationen:
| Artikel-Nr.: | WTD30200250B1314S301 |
| Coating thickness: | 300 |
| Material: | Si + dry SiO2, Square Si + dry SiO2 |
| Diameter: | 3 inch |
| Wafer thickness: | 200 µm |
| Quality: | Prime |
| Orientation: | (100) |
| Resistivity: | 1 - 10 Ohm cm |
| Dopand: | Boron |
| Wafer thickness tolerance: | +/- 25 µm |
| Surface: | 1-side polished (ssp) |
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