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Si + SiO2 Wafer

Prime Si + SiO2 (dry)-Wafer 2 inch, thickness = 279 ± 20 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 100 nm SiO2

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Si + SiO2 Wafer
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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WTD20279200B1314S101
Coating thickness: 100
Material: Si + dry SiO2
Wafer thickness tolerance: +/- 20 µm
Wafer thickness: 279 µm
Diameter: 2 inch
Quality: Prime
Orientation: (100)
Resistivity: 1 - 10 Ohm cm
Dopand: Boron
Surface: 1-side polished (ssp)
Beschreibung
Beschreibung
Prime Si + SiO2 (dry)-Wafer 2 inch, thickness = 279 ± 20 µm,... mehr
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Produktinformationen "Si + SiO2 Wafer"

Prime Si + SiO2 (dry)-Wafer 2 inch, thickness = 279 ± 20 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 100 nm SiO2

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