Si + SiO2 Wafer

Prime Si + dry SiO2 wafer 2 inch, thickness = 279 ± 20 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 0.001 - 0.05 Ohm cm, 50 +/- 30 nm SiO2

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WTD20279200B1051S051
Coating thickness: 50
Resistivity: 0,001 - 0,05 Ohm cm
Material: Si + dry SiO2
Wafer thickness tolerance: +/- 20 µm
Wafer thickness: 279 µm
Diameter: 2 inch
Quality: Prime
Orientation: (100)
Dopand: Boron
Surface: 1-side polished (ssp)
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Produktinformationen "Si + SiO2 Wafer"

Prime Si + dry SiO2 wafer 2 inch, thickness = 279 ± 20 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 0.001 - 0.05 Ohm cm, 50 +/- 30 nm SiO2

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