Si + SiO2 Wafer
Prime Si + dry SiO2 wafer 2 inch, thickness = 279 ± 20 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 0.001 - 0.05 Ohm cm, 50 +/- 30 nm SiO2
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Spezifikationen:
| Artikel-Nr.: | WTD20279200B1051S051 |
| Coating thickness: | 50 |
| Resistivity: | 0,001 - 0,05 Ohm cm |
| Material: | Si + dry SiO2 |
| Wafer thickness tolerance: | +/- 20 µm |
| Wafer thickness: | 279 µm |
| Diameter: | 2 inch |
| Quality: | Prime |
| Orientation: | (100) |
| Dopand: | Boron |
| Surface: | 1-side polished (ssp) |
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