Si + SiO2 Wafer
Prime FZ-Si + dry SiO2 wafer 1 inch, thickness = 500 ± 25 µm, (100), 1-side polished, TTV < 10 µm, 20 - 100000 Ohm cm, 25 nm thermal SiO2 (+/- 15 %, with +/- 10 % on best effort) on both sides, primary flat 8 mm, intrinsic/undoped
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Spezifikationen:
| Artikel-Nr.: | WTD10500250X2418S021 |
| Resistivity: | 20 - 100000 Ohm cm |
| Diameter: | 1 inch |
| Material: | Si + dry SiO2 |
| Wafer thickness: | 500 µm |
| Quality: | Prime |
| Orientation: | (100) |
| Wafer thickness tolerance: | +/- 25 µm |
| Surface: | 1-side polished (ssp) |
| Coating thickness: | 20 |
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