Si + SiO2 Wafer
Prime FZ Si + dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 2-side polished, TTV < 10 µm, 10000 - 100000 Ohm cm, 100 nm SiO2
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Spezifikationen:
Artikel-Nr.: | WTA40525250X1718S101 |
Wafer thickness: | 525 µm |
Resistivity: | 10000 - 100000 Ohm cm |
Coating thickness: | 100 |
Material: | Si + dry SiO2 |
Surface: | 2-side polished (dsp) |
Quality: | Prime |
Orientation: | (100) |
Wafer thickness tolerance: | +/- 25 µm |
Diameter: | 4 inch (100 mm) |
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