Si + SiO2 Wafer

Prime FZ Si + dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 2-side polished, TTV < 10 µm, 10000 - 100000 Ohm cm, 100 nm SiO2

Si + SiO2 Wafer

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WTA40525250X1718S101
Wafer thickness: 525 µm
Resistivity: 10000 - 100000 Ohm cm
Coating thickness: 100
Material: Si + dry SiO2
Surface: 2-side polished (dsp)
Quality: Prime
Orientation: (100)
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Diameter: 4 inch (100 mm)
Prime FZ Si + dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm,... mehr

Produktinformationen "Si + SiO2 Wafer"

Prime FZ Si + dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 2-side polished, TTV < 10 µm, 10000 - 100000 Ohm cm, 100 nm SiO2

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