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Si + SiO2 Wafer

Prime Square Si + dry/wet/dry SiO2 wafer piece (100 x 100 mm), thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), 1 - 10 Ohm cm, 1000 nm wet SiO2 (thermally grown on both sides), units of 10 wafers

Si + SiO2 Wafer
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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: W9WD10010005251000B1
Material: Si + wet SiO2
Size: 100 x 100 mm
Shape: rectangular
Wafer thickness: 525 µm
Quality: Prime
Orientation: (100)
Resistivity: 1 - 10 Ohm cm
Dopand: Boron
Surface: 1-side polished (ssp)
Coating thickness: 1000
Prime Square Si + dry/wet/dry SiO2 wafer piece (100 x 100 mm), thickness = 525... mehr

Produktinformationen "Si + SiO2 Wafer"

Prime Square Si + dry/wet/dry SiO2 wafer piece (100 x 100 mm), thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), 1 - 10 Ohm cm, 1000 nm wet SiO2 (thermally grown on both sides), units of 10 wafers

Min. order quantity and sales unit = 10 wafers.

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