Si + SiO2 Wafer

Prime Square Si + dry SiO2 wafer piece (10 x 10 mm), thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV, 1 - 10 Ohm cm, 200 nm dry SiO2, units of 25 pieces

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: W9TD01001005250200B1
Material: Si + dry SiO2
Size: 10 x 10 mm
Shape: rectangular
Wafer thickness: 525 µm
Quality: Prime
Orientation: (100)
Resistivity: 1 - 10 Ohm cm
Dopand: Boron
Surface: 1-side polished (ssp)
Coating thickness: 200
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Produktinformationen "Si + SiO2 Wafer"

Prime Square Si + dry SiO2 wafer piece (10 x 10 mm), thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV, 1 - 10 Ohm cm, 200 nm dry SiO2, units of 25 pieces

Min. order quantity and sales unit = 30 wafers.

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