Si + SiO2 Wafer
Prime Si + dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 5 µm, 0.001 - 0.01 Ohm cm, 90 nm SiO2
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Spezifikationen:
Artikel-Nr.: | 34002739 |
Wafer thickness: | 0 µm |
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