Si + Si3N4 Wafer
Prime Si + Si3N4 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 15 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron) TTV < 5 µm, 1 - 10 Ohm cm, 45 nm low-stress LPCVD Si3N4 on both wafer sides, ihomogenous appearance (large-scale spots visible, maybe impurities underneath nitride coating)
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Spezifikationen:
| Artikel-Nr.: | WNS40525155B1314S041 |
| Surface: | 2-side polished (dsp) |
| Material: | Si + Si3N4 |
| Wafer thickness tolerance: | +/- 15 µm |
| Wafer thickness: | 525 µm |
| Quality: | Dummy |
| Orientation: | (100) |
| Resistivity: | 1 - 10 Ohm cm |
| Dopand: | Boron |
| Diameter: | 4 inch (100 mm) |
| Coating thickness: | 40 |
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