Si + Si3N4 Wafer

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.:	WNF30380250P1314S301
Coating thickness:	300
Material:	Si + Si3N4
Wafer thickness:	380 µm
Orientation:	(111)
Diameter:	3 inch
Dopand:	Phosphor
Quality:	Prime
Resistivity:	1 - 10 Ohm cm
Wafer thickness tolerance:	+/- 25 µm
Surface:	1-side polished (ssp)

Prime Si + LPCVD Si3N4 wafer 3 inch, thickness = 380 ± 25 µm,... mehr

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Produktinformationen "Si + Si3N4 Wafer"

Prime Si + LPCVD Si3N4 wafer 3 inch, thickness = 380 ± 25 µm, (111), 1-side polished, n-type (Phosphor) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 325 nm stoichiometric (best-effort) Si3N4

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