• In unserem Shop finden Sie momentan nur ein Teil unseres Sortiments.
    Unsere gesamte Produktpalette sowie weitere Informationen finden Sie auf unserer bisherigen Website.

Si + Si3N4 Wafer

Prime Si + dry/wet/dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), 1 - 10 Ohm cm, 500 nm SiO2 + 60 nm (best effort) stoichiometric high-stress LPCVD Si3N4 on both sides

Si + Si3N4 Wafer
42,00 € *

zzgl. MwSt. zzgl. Versandkosten

PRODUZIERBAR2: mehr auf Anfrage.

2 Der Artikel kann auf Anfrage produziert werden. Bitte kontaktieren Sie uns.

Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WND40525250B1314S061
Material: Si + Si3N4
Wafer thickness: 525 µm
Quality: Prime
Orientation: (100)
Resistivity: 1 - 10 Ohm cm
Dopand: Boron
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Surface: 1-side polished (ssp)
Diameter: 4 inch (100 mm)
Coating thickness: 60
Prime Si + dry/wet/dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm,... mehr

Produktinformationen "Si + Si3N4 Wafer"

Prime Si + dry/wet/dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), 1 - 10 Ohm cm, 500 nm SiO2 + 60 nm (best effort) stoichiometric high-stress LPCVD Si3N4 on both sides

Min. order quantity and sales unit = 25 wafers.

Weiterführende Links zu "Si + Si3N4 Wafer"

Zuletzt angesehen