Si + Si3N4 Wafer

Prime Si + Si3N4 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 15 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), TTV < 5 µm, 10 - 20 Ohm cm, 1200 nm low-stress LPCVD Si3N4 on both sides

Si + Si3N4 Wafer
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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WND40525155B1424SNN1
Material: Si + Si3N4
Resistivity: 10 - 20 Ohm cm
Wafer thickness tolerance: +/- 15 µm
Wafer thickness: 525 µm
Quality: Prime
Orientation: (100)
Dopand: Boron
Surface: 1-side polished (ssp)
Diameter: 4 inch (100 mm)
Coating thickness: 1200
Prime Si + Si3N4 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 15 µm, (100),... mehr

Produktinformationen "Si + Si3N4 Wafer"

Prime Si + Si3N4 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 15 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), TTV < 5 µm, 10 - 20 Ohm cm, 1200 nm low-stress LPCVD Si3N4 on both sides

Min. order quantity and sales unit = 25 wafers.

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