Si + Si3N4 Wafer

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.:	WNA40525255B1314S301
Coating thickness:	300
Material:	Si + Si3N4
Wafer thickness:	525 µm
Surface:	2-side polished (dsp)
Quality:	Prime
Orientation:	(100)
Resistivity:	1 - 10 Ohm cm
Dopand:	Boron
Wafer thickness tolerance:	+/- 25 µm
Diameter:	4 inch (100 mm)

Prime Si + Si3N4 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100),... mehr

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Produktinformationen "Si + Si3N4 Wafer"

Prime Si + Si3N4 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron) TTV < 5 µm, 1 - 10 Ohm cm, 300 nm LPCVD Si3N4 on both sides - 1 carrier with 15 wafers has laser-marking on front side

Min. order quantity = 1 wafer. From 25 wafers on, only sales units of 25 wafers. One sales unit of 22 wafers is also available on stock.