• In unserem Shop finden Sie momentan nur ein Teil unseres Sortiments.
    Unsere gesamte Produktpalette sowie weitere Informationen finden Sie auf unserer bisherigen Website.

Si + Si3N4 Wafer

Prime Si + Si3N4 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 15 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron) TTV < 5 µm, 1 - 10 Ohm cm, 500 nm low-stress LPCVD Si3N4 on both sides

Staffelpreise:

Menge: Stückpreis:
bis 4 72,00 € *
ab 5 66,00 € *
ab 10 59,00 € *
ab 25 52,00 € *
ab 50 50,00 € *

zzgl. MwSt. zzgl. Versandkosten

LAGERBESTAND: 18
IN BÄLDE VERFÜGBAR1: 68 pieces
PRODUZIERBAR2: mehr auf Anfrage.


1 Summe aus Bestand und ggf. in Produktion befindlicher Ware.
Lieferzeit auf Anfrage.

2 Der Artikel kann auf Anfrage produziert werden. Bitte kontaktieren Sie uns.

Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WNA40525155B1314S501
Surface: 2-side polished (dsp)
Coating thickness: 500
Material: Si + Si3N4
Wafer thickness tolerance: +/- 15 µm
Wafer thickness: 525 µm
Quality: Prime
Orientation: (100)
Resistivity: 1 - 10 Ohm cm
Dopand: Boron
Diameter: 4 inch (100 mm)
Prime Si + Si3N4 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 15 µm, (100),... mehr

Produktinformationen "Si + Si3N4 Wafer"

Prime Si + Si3N4 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 15 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron) TTV < 5 µm, 1 - 10 Ohm cm, 500 nm low-stress LPCVD Si3N4 on both sides

Min. order quantity = 1 wafer. From 25 wafers on, only sales units of 25 wafers.

Weiterführende Links zu "Si + Si3N4 Wafer"

Zuletzt angesehen