Si + Si3N4 Wafer

Prime Si + Si3N4 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 15 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron) TTV < 5 µm, 1 - 10 Ohm cm, 500 nm low-stress LPCVD Si3N4 on both sides

Si + Si3N4 Wafer

Staffelpreise:

Menge: Stückpreis:
bis 1 86,00 € *
ab 5 75,20 € *
ab 10 69,60 € *
ab 25 64,00 € *
ab 50 62,00 € *

zzgl. MwSt. zzgl. Versandkosten

LAGERBESTAND: 7
PRODUZIERBAR2: mehr auf Anfrage.

2 Der Artikel kann auf Anfrage produziert werden. Bitte kontaktieren Sie uns.

Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WNA40525155B1314S501
Surface: 2-side polished (dsp)
Coating thickness: 500
Material: Si + Si3N4
Wafer thickness tolerance: +/- 15 µm
Wafer thickness: 525 µm
Quality: Prime
Orientation: (100)
Resistivity: 1 - 10 Ohm cm
Dopand: Boron
Diameter: 4 inch (100 mm)
Prime Si + Si3N4 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 15 µm, (100),... mehr

Produktinformationen "Si + Si3N4 Wafer"

Prime Si + Si3N4 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 15 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron) TTV < 5 µm, 1 - 10 Ohm cm, 500 nm low-stress LPCVD Si3N4 on both sides

Min. order quantity = 1 wafer. From 25 wafers on, only sales units of 25 wafers. One sales unit of 7 wafers is also available on stock.

Weiterführende Links zu "Si + Si3N4 Wafer"

Zuletzt angesehen