Si + Si3N4 Wafer

Prime CZ-Si + Si3N4 wafer 4 inch, thickness = 380 ± 15 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 1000 nm LPCVD low-stress Si3N4 on both sides

Si + Si3N4 Wafer

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WNA40380155B1314SXX1
Coating thickness: 1000
Material: Si + Si3N4
Wafer thickness: 380 µm
Wafer thickness tolerance: +/- 15 µm
Surface: 2-side polished (dsp)
Quality: Prime
Orientation: (100)
Resistivity: 1 - 10 Ohm cm
Dopand: Boron
Diameter: 4 inch (100 mm)
Prime CZ-Si + Si3N4 wafer 4 inch, thickness = 380 ± 15 µm,... mehr

Produktinformationen "Si + Si3N4 Wafer"

Prime CZ-Si + Si3N4 wafer 4 inch, thickness = 380 ± 15 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 1000 nm LPCVD low-stress Si3N4 on both sides

Min. order quantity = 1 wafer. From 25 wafers on, only sales units of 25 wafers. One sales unit of 8 wafers is also available on stock.

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