Si + Si3N4 Wafer
Prime Si + LPCVD Si3N4 wafer 4 inch, thickness = 380 ± 15 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron), TTV < 5 µm, 1 - 10 Ohm cm, 75 nm Si3N4
Staffelpreise:
| Menge: | Stückpreis: |
|---|---|
| bis 4 | 68,00 € * |
| ab 5 | 57,00 € * |
| ab 10 | 52,00 € * |
| ab 25 | 46,00 € * |
| ab 50 | 44,50 € * |
zzgl. MwSt. zzgl. Versandkosten
PRODUZIERBAR2: mehr auf Anfrage. 2 Der Artikel kann auf Anfrage produziert werden. Bitte kontaktieren Sie uns.
Spezifikationen:
| Artikel-Nr.: | WNA40380155B1314S071 |
| Coating thickness: | 70 |
| Material: | Si + Si3N4 |
| Wafer thickness: | 380 µm |
| Wafer thickness tolerance: | +/- 15 µm |
| Surface: | 2-side polished (dsp) |
| Quality: | Prime |
| Orientation: | (100) |
| Resistivity: | 1 - 10 Ohm cm |
| Dopand: | Boron |
| Diameter: | 4 inch (100 mm) |
Zuletzt angesehen