Si + Si3N4 Wafer
Prime Si + LPCVD Si3N4 wafer 4 inch, thickness = 380 ± 15 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron), TTV < 5 µm, 1 - 10 Ohm cm, 75 nm Si3N4
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Spezifikationen:
Artikel-Nr.: | WNA40380155B1314S071 |
Coating thickness: | 70 |
Material: | Si + Si3N4 |
Wafer thickness: | 380 µm |
Wafer thickness tolerance: | +/- 15 µm |
Surface: | 2-side polished (dsp) |
Quality: | Prime |
Orientation: | (100) |
Resistivity: | 1 - 10 Ohm cm |
Dopand: | Boron |
Diameter: | 4 inch (100 mm) |
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