Si + Si3N4 Wafer

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.:	WNA40260100X1718S081
Resistivity:	10000 - 100000 Ohm cm
Coating thickness:	80
Material:	Si + Si3N4
Diameter:	4 inch (100 mm)
Wafer thickness tolerance:	+/- 10 µm
Surface:	2-side polished (dsp)
Quality:	Prime
Orientation:	(100)
Wafer thickness:	260 µm

Prime FZ-Si + Si3N4 wafer 4 inch, thickness = 260 ± 10 µm,... mehr

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Produktinformationen "Si + Si3N4 Wafer"

Prime FZ-Si + Si3N4 wafer 4 inch, thickness = 260 ± 10 µm, (100), 2-side polished, TTV < 10 µm, Bow/Warp < 30 µm, intrinsic/undoped, 10000 - 100000 Ohm cm, 80 +/- 20 nm (> 50 nm) LPCVD low-stress Si3N4 on both sides

Min. order quantity = 1 wafer. From 25 wafers on, only sales units of 25 wafers. One sales unit of 23 wafers is also available on stock.