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Si + Si3N4 Wafer

Prime FZ-Si + Si3N4 wafer 4 inch, thickness = 260 ± 10 µm, (100), 2-side polished, TTV < 10 µm, Bow/Warp < 30 µm, intrinsic/undoped, 10000 - 100000 Ohm cm, 80 +/- 20 nm (> 50 nm) LPCVD low-stress Si3N4 on both sides

Si + Si3N4 Wafer
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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WNA40260100X1718S081
Resistivity: 10000 - 100000 Ohm cm
Coating thickness: 80
Material: Si + Si3N4
Diameter: 4 inch (100 mm)
Wafer thickness tolerance: +/- 10 µm
Surface: 2-side polished (dsp)
Quality: Prime
Orientation: (100)
Wafer thickness: 260 µm
Prime FZ-Si + Si3N4 wafer 4 inch, thickness = 260 ± 10 µm,... mehr

Produktinformationen "Si + Si3N4 Wafer"

Prime FZ-Si + Si3N4 wafer 4 inch, thickness = 260 ± 10 µm, (100), 2-side polished, TTV < 10 µm, Bow/Warp < 30 µm, intrinsic/undoped, 10000 - 100000 Ohm cm, 80 +/- 20 nm (> 50 nm) LPCVD low-stress Si3N4 on both sides

Min. order quantity = 1 wafer. From 25 wafers on, only sales units of 25 wafers.

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