Si + Si3N4 Wafer
Prime FZ-Si + Si3N4 wafer 4 inch, thickness = 260 ± 10 µm, (100), 2-side polished, TTV < 10 µm, Bow/Warp < 30 µm, intrinsic/undoped, 10000 - 100000 Ohm cm, 80 +/- 20 nm (> 50 nm) LPCVD low-stress Si3N4 on both sides
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| Menge: | Stückpreis: |
|---|---|
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Spezifikationen:
| Artikel-Nr.: | WNA40260100X1718S081 |
| Resistivity: | 10000 - 100000 Ohm cm |
| Coating thickness: | 80 |
| Material: | Si + Si3N4 |
| Diameter: | 4 inch (100 mm) |
| Wafer thickness tolerance: | +/- 10 µm |
| Surface: | 2-side polished (dsp) |
| Quality: | Prime |
| Orientation: | (100) |
| Wafer thickness: | 260 µm |
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