• In unserem Shop finden Sie momentan nur ein Teil unseres Sortiments.
    Unsere gesamte Produktpalette sowie weitere Informationen finden Sie auf unserer bisherigen Website.

Si + Si3N4 Wafer

Prime Si + Si3N4 wafer 4 inch, thickness = 200 ± 10 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron) TTV < 5 µm, 1 - 10 Ohm cm, 100 nm low-stress Si3N4 on both sides

Dieser Artikel steht derzeit nicht zur Verfügung!

Staffelpreise:

Menge: Stückpreis:
bis 4 75,00 € *
ab 5 63,20 € *
ab 10 57,60 € *
ab 25 52,00 € *
ab 50 50,00 € *

zzgl. MwSt. zzgl. Versandkosten

Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WNA40200105B1314S101
Surface: 2-side polished (dsp)
Coating thickness: 100
Material: Si + Si3N4
Wafer thickness tolerance: +/- 10 µm
Wafer thickness: 200 µm
Quality: Prime
Orientation: (100)
Resistivity: 1 - 10 Ohm cm
Dopand: Boron
Diameter: 4 inch (100 mm)
Prime Si + Si3N4 wafer 4 inch, thickness = 200 ± 10 µm, (100),... mehr

Produktinformationen "Si + Si3N4 Wafer"

Prime Si + Si3N4 wafer 4 inch, thickness = 200 ± 10 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron) TTV < 5 µm, 1 - 10 Ohm cm, 100 nm low-stress Si3N4 on both sides

Min. order quantity = 1 wafer. From 25 wafers on, only sales units of 25 wafers. One sales unit of 1 wafers is also available on stock.

Weiterführende Links zu "Si + Si3N4 Wafer"

Zuletzt angesehen