Si + Si3N4 Wafer
Prime Si + Si3N4 wafer 4 inch, thickness = 200 ± 10 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron), TTV < 5 µm, 1 - 10 Ohm cm, 60 nm low-stress LPCVD Si3N4 (50 - 70 nm)
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Spezifikationen:
| Artikel-Nr.: | WNA40200105B1314S061 |
| Surface: | 2-side polished (dsp) |
| Material: | Si + Si3N4 |
| Wafer thickness tolerance: | +/- 10 µm |
| Wafer thickness: | 200 µm |
| Quality: | Prime |
| Orientation: | (100) |
| Resistivity: | 1 - 10 Ohm cm |
| Dopand: | Boron |
| Diameter: | 4 inch (100 mm) |
| Coating thickness: | 60 |
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