Si + Si3N4 Wafer

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.:	WNA30381250B1314S502
Surface:	2-side polished (dsp)
Coating thickness:	500
Material:	Si + Si3N4
Wafer thickness:	381 µm
Diameter:	3 inch
Quality:	Prime
Orientation:	(100)
Resistivity:	1 - 10 Ohm cm
Dopand:	Boron
Wafer thickness tolerance:	+/- 25 µm

Prime Si + Si3N4 (low-stress) wafer 3 inch, thickness = 381 ± 25... mehr

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Produktinformationen "Si + Si3N4 Wafer"

Prime Si + Si3N4 (low-stress) wafer 3 inch, thickness = 381 ± 25 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 500 nm low-stress Si3N4

Min. order quantity = 1 wafer. From 25 wafers on, only sales units of 25 wafers. One sales unit of 15 wafers is also available on stock.