Si + Si3N4 Wafer
Prime Si + Si3N4 (low-stress) wafer 3 inch, thickness = 381 ± 25 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 500 nm low-stress Si3N4
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Spezifikationen:
| Artikel-Nr.: | WNA30381250B1314S502 |
| Surface: | 2-side polished (dsp) |
| Coating thickness: | 500 |
| Material: | Si + Si3N4 |
| Wafer thickness: | 381 µm |
| Diameter: | 3 inch |
| Quality: | Prime |
| Orientation: | (100) |
| Resistivity: | 1 - 10 Ohm cm |
| Dopand: | Boron |
| Wafer thickness tolerance: | +/- 25 µm |
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