Si + Si3N4 Wafer

Prime Si + Si3N4 (low-stress) wafer 3 inch, thickness = 381 ± 25 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 500 nm low-stress Si3N4

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WNA30381250B1314S502
Surface: 2-side polished (dsp)
Coating thickness: 500
Material: Si + Si3N4
Wafer thickness: 381 µm
Diameter: 3 inch
Quality: Prime
Orientation: (100)
Resistivity: 1 - 10 Ohm cm
Dopand: Boron
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Prime Si + Si3N4 (low-stress) wafer 3 inch, thickness = 381 ± 25... mehr

Produktinformationen "Si + Si3N4 Wafer"

Prime Si + Si3N4 (low-stress) wafer 3 inch, thickness = 381 ± 25 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 500 nm low-stress Si3N4

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