Si + Si3N4 Wafer

Prime Si + Si3N4 wafer 3 inch, thickness = 381 ± 25 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron), 1 - 10 Ohm cm, 300 nm LPCVD Si3N4 on both sides

Si + Si3N4 Wafer

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WNA30381250B1314S301
Surface: 2-side polished (dsp)
Coating thickness: 300
Material: Si + Si3N4
Wafer thickness: 381 µm
Diameter: 3 inch
Quality: Prime
Orientation: (100)
Resistivity: 1 - 10 Ohm cm
Dopand: Boron
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Beschreibung
Beschreibung
Prime Si + Si3N4 wafer 3 inch, thickness = 381 ± 25 µm, (100),... mehr
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Produktinformationen "Si + Si3N4 Wafer"

Prime Si + Si3N4 wafer 3 inch, thickness = 381 ± 25 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron), 1 - 10 Ohm cm, 300 nm LPCVD Si3N4 on both sides

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