• In unserem Shop finden Sie momentan nur ein Teil unseres Sortiments.
    Unsere gesamte Produktpalette sowie weitere Informationen finden Sie auf unserer bisherigen Website.

Si + Si3N4 Wafer

Prime Si + Si3N4 wafer 3 inch, thickness = 381 ± 25 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron), 1 - 10 Ohm cm, 150 nm LPCVD Si3N4 on both sides

Staffelpreise:

Menge: Stückpreis:
bis 4 54,00 € *
ab 5 44,00 € *
ab 10 39,00 € *
ab 25 34,00 € *
ab 50 33,00 € *

zzgl. MwSt. zzgl. Versandkosten

LAGERBESTAND: 30
IN BÄLDE VERFÜGBAR1: 30 pieces
PRODUZIERBAR2: mehr auf Anfrage.


1 Summe aus Bestand und ggf. in Produktion befindlicher Ware.
Lieferzeit auf Anfrage.

2 Der Artikel kann auf Anfrage produziert werden. Bitte kontaktieren Sie uns.

Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WNA30381250B1314S151
Surface: 2-side polished (dsp)
Coating thickness: 150
Material: Si + Si3N4
Wafer thickness: 381 µm
Diameter: 3 inch
Quality: Prime
Orientation: (100)
Resistivity: 1 - 10 Ohm cm
Dopand: Boron
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Prime Si + Si3N4 wafer 3 inch, thickness = 381 ± 25 µm, (100),... mehr

Produktinformationen "Si + Si3N4 Wafer"

Prime Si + Si3N4 wafer 3 inch, thickness = 381 ± 25 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron), 1 - 10 Ohm cm, 150 nm LPCVD Si3N4 on both sides

Min. order quantity = 1 wafer. From 25 wafers on, only sales units of 25 wafers. One sales unit of 5 wafers is also available on stock.

Weiterführende Links zu "Si + Si3N4 Wafer"

Zuletzt angesehen