Si + Si3N4 Wafer

Prime Si + Si3N4 wafer 3 inch, thickness = 381 ± 25 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron), 1 - 10 Ohm cm, 150 nm LPCVD Si3N4 on both sides

Si + Si3N4 Wafer

Staffelpreise:

Menge: Stückpreis:
bis 4 49,50 € *
ab 5 39,80 € *
ab 10 35,00 € *
ab 25 30,00 € *
ab 50 28,50 € *

zzgl. MwSt. zzgl. Versandkosten

LAGERBESTAND: 50
PRODUZIERBAR2: mehr auf Anfrage.

2 Der Artikel kann auf Anfrage produziert werden. Bitte kontaktieren Sie uns.

Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WNA30381250B1314S151
Surface: 2-side polished (dsp)
Coating thickness: 150
Material: Si + Si3N4
Wafer thickness: 381 µm
Diameter: 3 inch
Quality: Prime
Orientation: (100)
Resistivity: 1 - 10 Ohm cm
Dopand: Boron
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Prime Si + Si3N4 wafer 3 inch, thickness = 381 ± 25 µm, (100),... mehr

Produktinformationen "Si + Si3N4 Wafer"

Prime Si + Si3N4 wafer 3 inch, thickness = 381 ± 25 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron), 1 - 10 Ohm cm, 150 nm LPCVD Si3N4 on both sides

Min. order quantity = 1 wafer. From 25 wafers on, only sales units of 25 wafers.

Weiterführende Links zu "Si + Si3N4 Wafer"

Zuletzt angesehen