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Silicon Wafer

Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, Bow/Warp < 30 µmm Laser-marking: A0001-xxxMCCC (xxx = 000 - 999, C = check code), top of characters towards edge, Font SEMI OCR, height 1.0 +/- 0.025 mm, width 0.5 +/- 0.025 mm, spacing 0.875 +/- 0.025 mm, dot matrix density (W x H) 5x9, distance to edge 1.1 +/- 0.3 mm, laser mark depth < 50 µm, on front side in the middle of the long flat

Silicon Wafer

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSD40525250B1314SNN5
Dopand: Boron
Wafer thickness: 525 µm
Quality: Prime
Orientation: (100)
Resistivity: 1 - 10 Ohm cm
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Surface: 1-side polished (ssp)
Diameter: 4 inch (100 mm)
Material: CZ-Si
Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100),... mehr

Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, Bow/Warp < 30 µmm Laser-marking: A0001-xxxMCCC (xxx = 000 - 999, C = check code), top of characters towards edge, Font SEMI OCR, height 1.0 +/- 0.025 mm, width 0.5 +/- 0.025 mm, spacing 0.875 +/- 0.025 mm, dot matrix density (W x H) 5x9, distance to edge 1.1 +/- 0.3 mm, laser mark depth < 50 µm, on front side in the middle of the long flat

Min. order quantity = 1 wafer. From 25 wafers on, only sales units of 25 wafers.

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