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Silicon Wafer

Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 380 ± 15 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron), TTV < 5 µm, 1 - 10 Ohm cm, Bow/Warp < 30 µm, Laser-marking: B0001-xxxMCCC (xxx = 000 - 999, C = check code), top of characters towards edge, Font SEMI OCR, height 1.0 +/- 0.025 mm, width 0.5 +/- 0.025 mm, spacing 0.875 +/- 0.025 mm, dot matrix density (W x H) 5x9, distance to edge 1.1 +/- 0.3 mm, laser mark depth < 50 µm, on front side in the middle of the long flat

Silicon Wafer

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ab 200 15,00 € *
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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSA40380155B1314SNN3
Quality: Prime
Wafer thickness: 380 µm
Wafer thickness tolerance: +/- 15 µm
Surface: 2-side polished (dsp)
Orientation: (100)
Resistivity: 1 - 10 Ohm cm
Dopand: Boron
Diameter: 4 inch (100 mm)
Material: CZ-Si
Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 380 ± 15 µm, (100),... mehr

Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 380 ± 15 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron), TTV < 5 µm, 1 - 10 Ohm cm, Bow/Warp < 30 µm, Laser-marking: B0001-xxxMCCC (xxx = 000 - 999, C = check code), top of characters towards edge, Font SEMI OCR, height 1.0 +/- 0.025 mm, width 0.5 +/- 0.025 mm, spacing 0.875 +/- 0.025 mm, dot matrix density (W x H) 5x9, distance to edge 1.1 +/- 0.3 mm, laser mark depth < 50 µm, on front side in the middle of the long flat

Min. order quantity and sales unit = 5 wafers.

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