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Silicon Wafer

Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 100 ± 10 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron), TTV < 5 µm, 0.001 - 0.01 Ohm cm, Flats: 1, packed in single shippers, units of 10 wafers

Silicon Wafer

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSA40100105B1011SNN1
Surface: 2-side polished (dsp)
Resistivity: 0,001 - 0,01 Ohm cm
Wafer thickness tolerance: +/- 10 µm
Quality: Prime
Orientation: (100)
Dopand: Boron
Diameter: 4 inch (100 mm)
Material: CZ-Si
Wafer thickness: 100 µm
Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 100 ± 10 µm, (100),... mehr

Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 100 ± 10 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron), TTV < 5 µm, 0.001 - 0.01 Ohm cm, Flats: 1, packed in single shippers, units of 10 wafers

Min. order quantity = 1 wafer. From 25 wafers on, only sales units of 25 wafers. One sales unit of 17 wafers is also available on stock.

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