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Silicon Wafer

Prime CZ-Si wafer 3 inch, thickness = 360 ± 25 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron), TTV < 10 µm, 0.001 - 0.005 Ohm cm

Silicon Wafer

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSA30360250B1050SNN1
Resistivity: 0,001 - 0,005 Ohm cm
Diameter: 3 inch
Surface: 2-side polished (dsp)
Quality: Prime
Orientation: (100)
Dopand: Boron
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Material: CZ-Si
Wafer thickness: 360 µm
Prime CZ-Si wafer 3 inch, thickness = 360 ± 25 µm, (100),... mehr

Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si wafer 3 inch, thickness = 360 ± 25 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron), TTV < 10 µm, 0.001 - 0.005 Ohm cm

Min. order quantity = 1 wafer. From 25 wafers on, only sales units of 25 wafers. One sales unit of 18 wafers is also available on stock.

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