Der AZ® MIR 701 29CPS ist die dickere Version des AZ® MIR 701 14 CPS für 2 - 3 µm Lackschichtdicke. Dank seiner hohen thermischen Stabilität als Lackmaske für hochauflösende Trockenätzprozesse eine geeignete Alternative für die eingestellte AZ® 6600 Lackserie.
Dünner, hochauflösender thermisch stabiler Negativlack optimiert für Single-layer Lift-off Prozesse sowie als Lackmaske für RIE oder die Ionenimplantation. Kompatibel mit TMAH-basierten Entwicklern.
Der Positivlack AZ TFP 650 F5 mit überragendem Photospeed und exzellentem Kontrast bei gleichzeitig sehr guter Lackhaftug auch unter anspruchsvollen Ätzbedingungen.
Eine Serie an Positiv-Dicklacken, aufgrund ihre verringerte Fotoinitiator-Konzentration im Lackschichtdickenbereich von ca. 3 - 30 µm prozessierbar. Durch eine verbesserte Haftung auf allen üblichen Substratmaterialien vor allem geeignet für nasschemische Prozesse wie Ätzen oder die galvanische Abscheidung.
Der Positivlack AZ TFP 650 F5 mit überragendem Photospeed und exzellentem Kontrast bei gleichzeitig sehr guter Lackhaftug auch unter anspruchsvollen Ätzbedingungen.
Remover für post etch residue (PER) removal. Äußerst effizient beim selektiven Entfernen organo-metallischer Oxide von Al, Cu, Ti, TiN, W und Ni.
Sehr effizienter Remover für Negativlacke (Flüssiglacke als auch Trockenfilme). Durch seine Zusammensetzung und speziellen Additive kompatibel mit Metallen übicherweise eingesetzt für BEOL interconnects oder WLP bumping.
TechniStrip Micro D2 ist ein vielseitig einsetzbarer Stripper für Lift-off Prozesse oder generell dem Auflösen von Positiv- und Negativlacken. Seine Zusammensetzung zielt auf eine verbesserte Kompatibilität zu vielen Metallen sowie III/V Halbleitern.
Hoch-effizienter Remover TechniStrip MLO 07 für Positiv- und Negativlacke eingesetzt in den Bereichen IR, III/V, MEMS, Photonic, TSV mask und solder bumping. Kompatibel zu Cu, Al, Sn/Ag, Alumina und einer Vielzahl organischer Substrate.
Eine saure Lösung zur Vorbehandlung und Aktivierung von Metall- bzw. Saatschichten auf denen eine unmittelbare galvanische Abscheidung gewöhnlich zu Haftungsproblemen führt. Beispiele hierfür sind die Goldabscheidung auf Nickel, oder die Abscheidung unmittelbar auf Ti oder TiW Schichten.
Cu Etch 200 UBM (Cu Ätze) ist ein fertig angesetztes, leicht alkalisches Ätzgemisch für Cu, selektiv zu vielen Metallen wie Ni, Au, Cr, Sn und Ti. Typische Anwendungsgebiete liegen in der Mikrosystemtechnologie speziell beim Entfernen der Cu Saatschicht nach der galvanischen Abscheidung (under bump metallization, UBM).
Ätzgemisch auf der Basis Salpeter- und Phosphorsäure für Cu und Ni. Für den Ätzvorgang ist eine vorherige Zugabe von 8 - 16 % H2O2 (30 %) notwendig, die Ätzrate erreicht ca. 300 - 400 nm / min bei 25° C.