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Nun gibt es das MicroChemicals Aceton und Isopropanol in ULSI Qualität. Unsere Lösemittel gibt es in 2,5 L Gebinden und können als Einzelflasche oder in der Verpackungseinheit von 4 x 2,5 L bestellt werden.
Beide Produkte eignen sich ideal zur Substratreinigung für organische Verunreinigungen und Partikel.
Chemisch verstärkter Positiv-Dicklack mit sehr hoher Photospeed und großem Aspektverhältnis, durch seine Stabilität geeignet z. B. als Lackmaske für die galvanische Abscheidung oder RIE Prozesse. Auch bei hohen Schichtdicken benötigt der AZ® 12XT vergleichsweise kurze Softbakezeiten, keine Rehydrierung vor der Belichtung, und dank seiner chemischen Verstärkung nur geringe Lichtdosen bei gleichzeitig hoher Entwicklungsrate.
Remover für post etch residue (PER) removal. Äußerst effizient beim selektiven Entfernen organo-metallischer Oxide von Al, Cu, Ti, TiN, W und Ni.
Dünnere Version des AZ® 15nXT (450 cPs). Ein Negativlack für ca. 3 - 5 µm Lackschichtdicke für Anwendungen wie die galvanische Abscheidung oder Ätzprozesse welche eine exzellente Lackhaftung und steile Lackflanken erfordern. AZ® 15nXT ist kompatibel zu Cu-Substraten und anderen Metallen sowie TMAH-basierten Entwicklern.
Sehr effizienter Remover für Negativlacke (Flüssiglacke als auch Trockenfilme). Durch seine Zusammensetzung und speziellen Additive kompatibel mit Metallen übicherweise eingesetzt für BEOL interconnects oder WLP bumping.
TechniStrip Micro D2 ist ein vielseitig einsetzbarer Stripper für Lift-off Prozesse oder generell dem Auflösen von Positiv- und Negativlacken. Seine Zusammensetzung zielt auf eine verbesserte Kompatibilität zu vielen Metallen sowie III/V Halbleitern.
Hoch-effizienter Remover TechniStrip MLO 07 für Positiv- und Negativlacke eingesetzt in den Bereichen IR, III/V, MEMS, Photonic, TSV mask und solder bumping. Kompatibel zu Cu, Al, Sn/Ag, Alumina und einer Vielzahl organischer Substrate.
Eine saure Lösung zur Vorbehandlung und Aktivierung von Metall- bzw. Saatschichten auf denen eine unmittelbare galvanische Abscheidung gewöhnlich zu Haftungsproblemen führt. Beispiele hierfür sind die Goldabscheidung auf Nickel, oder die Abscheidung unmittelbar auf Ti oder TiW Schichten.
Cu Etch 200 UBM (Cu Ätze) ist ein fertig angesetztes, leicht alkalisches Ätzgemisch für Cu, selektiv zu vielen Metallen wie Ni, Au, Cr, Sn und Ti. Typische Anwendungsgebiete liegen in der Mikrosystemtechnologie speziell beim Entfernen der Cu Saatschicht nach der galvanischen Abscheidung (under bump metallization, UBM).
Ätzgemisch auf der Basis Salpeter- und Phosphorsäure für Cu und Ni. Für den Ätzvorgang ist eine vorherige Zugabe von 8 - 16 % H2O2 (30 %) notwendig, die Ätzrate erreicht ca. 300 - 400 nm / min bei 25° C.
TechniEtch™ AC35 ist ein Iod-basiertes Ätzgemisch für Au und Cu, gekennzeichnet durch eine erhöhte Stabilität und Kapazität, sowie eine verbesserte Benetzung, bezogen auf übliche Iod-basierte Ätzgemische. Besonderes Merkmal der TechniEtch™ AC35 ist die Fähigkeit, beim kombinierten Ätzen von Au und Cu das Unterätzen des Au möglichst gering zu halten.
TechniEtch™ TBR19 (Ti, TiW und TiN Ätze) ist ein fertiges Ätzgemisch für Ti, TiW und TiN in Verbindung mit Cu bump pillars. TechniEtch™ TBR19 ist kompatibel zu den meisten under bump metallization (UBM) und copper pillar integration Materialien wie Cu, Al, Ni, Glas, organischen Substraten und vielen Kunststoffen wie Polypropylen, HDPE, PFA, PTFE Kalrez, PEEK und PE. Die Ätzrate bei 50°C liegt bei ca. 1000 A/min.
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