Dünnere Version des AZ® 15nXT (450 cPs). Ein Negativlack für ca. 3 - 5 µm Lackschichtdicke für Anwendungen wie die galvanische Abscheidung oder Ätzprozesse welche eine exzellente Lackhaftung und steile Lackflanken erfordern. AZ® 15nXT ist kompatibel zu Cu-Substraten und anderen Metallen sowie TMAH-basierten Entwicklern.
Der AZ 5209 E ist die dünnere Version des AZ® 5214 E. Ein speziell für hochauflösende Lift-off Anwendungen optimierter Umkehrlack, gekennzeichnet durch eine verbesserte Lackhaftung und thermische Stabilität.
Dünner, hochauflösender thermisch stabiler Negativlack optimiert für Single-layer Lift-off Prozesse sowie als Lackmaske für RIE oder die Ionenimplantation. Kompatibel mit TMAH-basierten Entwicklern.
Der AZ® MIR 701 29CPS ist die dickere Version des AZ® MIR 701 14 CPS für 2 - 3 µm Lackschichtdicke. Dank seiner hohen thermischen Stabilität als Lackmaske für hochauflösende Trockenätzprozesse eine geeignete Alternative für die eingestellte AZ® 6600 Lackserie.
TechniEtch™ TBR19 (Ti, TiW und TiN Ätze) ist ein fertiges Ätzgemisch für Ti, TiW und TiN in Verbindung mit Cu bump pillars. TechniEtch™ TBR19 ist kompatibel zu den meisten under bump metallization (UBM) und copper pillar integration Materialien wie Cu, Al, Ni, Glas, organischen Substraten und vielen Kunststoffen wie Polypropylen, HDPE, PFA, PTFE Kalrez, PEEK und PE. Die Ätzrate bei 50°C liegt bei ca. 1000 A/min.
TechniEtch™SO102 ist eine Tetraethylorothosilicate (TEOS) Ätzlösung mit speziellen Additiven für eine exzellente Benetzung und Ätzratenkontrolle.
Eine Serie an Positiv-Dicklacken, aufgrund ihre verringerte Fotoinitiator-Konzentration im Lackschichtdickenbereich von ca. 3 - 30 µm prozessierbar. Durch eine verbesserte Haftung auf allen üblichen Substratmaterialien vor allem geeignet für nasschemische Prozesse wie Ätzen oder die galvanische Abscheidung.
TechniEtch™TC ist eine Titanätzlösung, die Hauptbestandteile sind hierbei Salpeter- und Fluorwasserstoffsäure. Die Ätzrate ist abhängig von dem Abscheidungsverfahren des Titans und der dadurch hervorgerufenen Kristallstruktur.